聯(lián)發(fā)科宣布首款2nm芯片 功耗大幅降低25%
在半導體工藝競賽白熱化階段，聯(lián)發(fā)科率先打響2nm制程芯片攻堅戰(zhàn)。公司首席執(zhí)行官蔡力行在COMPUTEX 2025主題演講中表示，過去十年間，聯(lián)發(fā)科芯片已累計出貨超200億顆，相當于全球人均持有2.5臺搭載其芯片的智能設備。這一數據背后，折射出聯(lián)發(fā)科在移動芯片市場的深厚積淀。
據了解，聯(lián)發(fā)科首款2nm制程芯片將于2025年9月進入流片階段，較3nm工藝實現性能躍升：晶體管密度提升15%，功耗大幅降低25%。
值得一提的是，該芯片將采用臺積電全新GAAFET（全環(huán)繞柵極場效應晶體管）架構，其納米片結構完全包裹柵極材料的設計，相較傳統(tǒng)FinFET架構，在漏電控制與能效比方面實現突破性改進。盡管爆料稱2025年發(fā)布的天璣9500仍沿用臺積電3nm制程，但聯(lián)發(fā)科已明確2026年下半年將推出旗艦級天璣9600，正式切入2nm賽道。
原標題：9月流片！聯(lián)發(fā)科宣布首款2nm芯片
責任編輯：李曉靈
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